iPhone7には、東芝とSanDiskが開発した3次元NANDフラッシュメモリが搭載される?


iPhone7には、東芝とSanDiskが開発した3次元NANDフラッシュメモリが搭載される?

Appleは、9月中旬に次世代iPhone(iPhone6s)をリリースすると見られていますが、早くも来年にリリースされるであろうiPhone7についての噂がサプライヤー筋から伝えられています。

今週、東芝と米SanDiskは、それぞれ48層積層プロセスを使用した256Gビット(32GB)の3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを開発したこと発表しました。

新製品は、従来の2次元NANDフラッシュメモリに比べて、書き込み・消去の耐久性向上や書き込み速度の高速化、エネルギー効率の改善などが図られています。

15nmプロセス技術に基づいて構築された256Gビット3次元NANDフラッシュメモリは、現在使用可能な最密メモリの2倍の性能を持つようです。

新しいメモリ製品は、スマートフォン、タブレット、メモリカード、SSD、その他のデバイスで使用されることが予想されます。

同時に東芝は、256Gbitの3Dフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産を発表しました。


iPhone 6のフラッシュメモリ、メインサプライヤーは東芝とSanDisk

東芝とSanDisk、そしてSK Hynixは、iPhone 6の主要なフラッシュメモリ供給メーカーでした。

東芝のプレスリリースは、新製品の潜在的なクライアントについて言及していませんが、東芝とAppleの需給関係が将来的にも成立している場合は、iPhone7に3次元NANDフラッシュメモリが搭載されることになるかもしれません。

東芝は、9月に「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始すると伝えています。

また、東芝の四日市工場の第5棟で製造を開始し、2016年前半に竣工予定の四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定です。


参照元:BGR

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